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第349章 张江的不眠夜（第2页）

获得了授权，真正的战斗才刚刚开始。

林星石将带来的三十人团队直接编入了中芯的各个关键制程模组——光刻、刻蚀、薄膜、扩散。

中芯国际的工程师们很快就见识到了什么叫做“星火速度”。

在张江的一间专门开辟的大型机房里，三十名星火工程师一字排开。他们面前是三块联动的显示屏，手指在机械键盘上敲击出一片密集的暴雨声。

林星石站在指挥台前，默默开启了系统的“8级效果”——超频。

在中芯工程师眼里，这群人简直就是不知疲倦的怪物。

以前，中芯的一组实验数据出来，工艺工程师需要用Excel拉表，做图，分析，开会讨论，这一套流程走下来，最快也要三五天。

而现在？

数据刚从机台上传到服务器，星火工程师编写的Python自动化脚本就像嗅到血腥味的鲨鱼一样扑了上去。

清洗、分类、建模、回归分析。

屏幕上的代码疯狂滚动，五颜六色的良率分布图（WaferMap）实时生成。

“光刻部注意，第13号机台在曝光边缘区域存在焦距漂移，建议调整Leveling参数，补偿值已发送。”

“刻蚀部，PolyCD在Wafer中心偏大，建议降低边缘气体流量2sccm。”

一个个指令从机房发出，精准、冷酷、不带一丝犹豫。

原本需要一周的数据分析时间，被硬生生地缩短到了两个小时！

中芯的老工程师们拿着平板电脑，看着上面详尽到每一个晶体管的分析报告，手都在抖。这哪里是做工艺，这简直是在开挂！

在林星石的亲自坐镇下，星火EDA工具平台展现出了恐怖的统治力。

针对22nm制程必须面对的“双重曝光”（DoublePatterning）技术，星火EDA祭出了经过现场优化的“动态色彩平衡”算法。它能自动将一层复杂的电路图拆分成两张掩膜版，并实时计算两张掩膜版之间的套刻误差（Overlay）对电路性能的影响。

张江的夜，灯火通明。

在这股近乎疯狂的推力下，中芯国际的工艺研发进度条仿佛被按下了快进键。

然而，半导体工艺的皇冠，并不是那么容易摘取的。

11月中旬，就在所有人都以为胜利在望的时候，一个巨大的打击降临了。

第一批全流程跑通的22nm验证片出炉。

测试机台前，邱国华看着屏幕上的一片飘红，脸色惨白。

“漏电流超标50倍……”他喃喃自语，声音里充满了绝望，“芯片静态功耗太高了，刚通电就发烫，根本没法用。”

整个实验室陷入了死一般的沉寂。漏电流，这是随着制程微缩，量子隧穿效应增强后最大的噩梦。如果解决不了这个问题，22nm就是一堆废硅。

“是不是掺杂浓度太高了？”

“也许是栅氧层太薄击穿了？”

“要不重新调整SourceDrain的注入能量？”

工程师们乱成一锅粥，各种盲目的猜测满天飞。有人甚至提议推翻现在的配方，从头再来。

“都闭嘴。”

一个冷静得有些冰冷的声音响起。

林星石从人群后方走出来，他的脸色有些苍白。

那是连日不断超频的痕迹，但他的眼睛却亮得吓人，只要他还能撑住，他就能一直开着超频效果前进。

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