集成电路(IntegratedCircuit,简称IC)的发展历史可以追溯到20世纪中叶。以下是其发展的主要历程和趋势:
早期发展阶段1.1947年贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿发明了晶体管,这是微电子技术发展中的第一个里程碑。
1950年结型晶体管诞生。
1951年场效应晶体管发明。
1956年C.S.Fuller发明了扩散工艺。
1958年仙童公司的罗伯特·诺伊斯和德州仪器的杰克·基尔比分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史。
技术进步1960年H.H.Loor和E.Castellani发明了光刻工艺。
1962年美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管。
1963年F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺。
1964年英特尔的摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加一倍。
1966年美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列(50门)。
1967年应用材料公司(AppliedMaterials)成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司。
大规模集成电路时代1971年英特尔推出1kb动态随机存储器(DRAM),标志着大规模集成电路出现。
1971年全球第一个微处理器4004由英特尔公司推出,采用的是MOS工艺,这是一个里程碑式的发明。
1974年RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802。
1976年16kbDRAM和4kbSRAM问世。
1978年64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临。
个人电脑时代1.1979年英特尔推出5MHz8088微处理器,之后,IBM基于8088推出全球第一台PC。
1981年256kbDRAM和64kbCMOSSRAM问世。
1984年日本宣布推出1MbDRAM和256kbSRAM。
1985年微处理器问世,20MHz。
1988年16MDRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路(VLSI)阶段。
现代发展1989年1MbDRAM进入市场。
1989年486微处理器推出,25MHz,1μm工艺,后来50MHz芯片采用0.8μm工艺。
1992年64M位随机存储器问世。
1993年66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μm工艺。
1995年PentiumPro,133MHz,采用0.6-0.35μm工艺。
1997年300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺。
1999年奔腾Ⅲ问世,450MHz,采用0.25μm工艺,后采用0.18μm工艺。
2000年1GbRAM投放市场。
2000年奔腾4问世,1.5GHz,采用0.18μm工艺。
2001年英特尔宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。
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