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第284章 半导体进阶技术（第1页）

工厂会议室里，李明远站在一张巨大的蓝图前，向众人解释新园区的布局。

"这不是简单的扩建，而是一场革命。"李明远的眼中闪烁着激情，

"我们要在这里建立龙国第一个现代化军工综合体，从材料到电子，从机械到软件，全部自主可控。"

会议结束后，老刘拉住李明远，"老弟，你这计划太大了，三个月能见成效吗？"

李明远神秘地笑了笑，"放心，我有办法。"

……

深夜的实验室里，只有李明远一人。

李明远打开了系统，点开了物品栏中的"北极熊国电子技术资料"。

"就这点东西，也不知道够不够啊..."李明远叹了口气。

他仔细阅读着资料，试图理解其中的原理。

北极熊国的电子技术虽然落后于敌国，但在某些领域有独特的思路，特别是在恶劣环境下的可靠性设计方面。

随着阅读的深入，李明远感到一阵熟悉的眩晕，视野中开始出现闪烁的代码。

【检测到宿主正在研究电子技术，悟性达标】

【触发"悟性逆天"技能】

【正在提取相关技术信息...】

【提取完成，已生成完整技术资料包】

李明远的眼前仿佛打开了一扇新的大门，海量的信息如潮水般涌入他的脑海：

半导体物理学的基础理论、晶体管和集成电路的制造工艺、光刻机和制硅机的设计图纸...

【恭喜宿主获得"电子科技革命"技术方案】

【资料内容包括：】

【1.初代光刻机完整技术方案】

分辨率：2微米级光刻工艺

对准精度：±0.5微米

光源：高压汞灯，波长365纳米

可处理晶圆尺寸：最大4英寸

投影系统：5:1缩小投影，分辨率1.5微米

关键部件：精密光学系统，步进电机控制系统

【2.制硅机完整方案】

单晶硅拉制技术：直拉法（cZ法）

纯度：9N（99.%）

晶向控制：＜100＞、＜111＞可选

最大拉制直径：4英寸

缺陷密度控制：＜1000个平方厘米

掺杂控制：硼、磷、砷精确掺杂技术

【3.半导体基础理论】

pN结物理模型及数学描述

晶体管工作原理与设计公式

半导体材料特性与参数表

杂质掺杂控制理论

热扩散与离子注入技术基础

半导体器件失效分析方法

【4.初级集成电路全套技术】

小规模集成电路（SSI）设计方法

中规模集成电路（mSI）核心电路模块

基本逻辑门电路设计与优化

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