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第476章 层闪存芯片（第1页）
第二天。
常乐和曾熙返回江州，然后马不停蹄转道去了长宁。
抵达长宁，没有惊动地方，直奔长宁存储。
刚下车，看见长宁存储cEo杨永宁、coo高启明，迈着轻快步伐大步跑来。
两人脸上都洋溢着激动、兴奋的神色。
常乐问两位：“介绍一下？”
杨永宁和高启明同时点头。
杨永宁先说：
“老板，基于xtacking架构的128层qLc3dNANd闪存研发成功……”
“而且，已经通过群联、联芸两家控制器厂的SSd系统验证。”
“我们计划今年年底正式量产，推向市场。”
高启明接着说：
“另外，128层tLc规格的闪存芯片，也同时研发成功，这表明我们领先了全世界。”
qLc与tLc是常见的存储芯片类型。
两者运用于不同的场景。
区别就在于，每一个存储单元能够存储的位数不同。
qLc芯片，每个存储单元可以存储四个比特。
tLc芯片，每个存储单元可以存储三个比特。
所以qLc的存储密度比tLc更高，但是耐久性不行。
一般，qLc应用于小容量场景，如家用的固态硬盘；
而tLc应用于大容量场景，如数据中心的服务器。
常乐、曾熙听完两人的介绍，很高兴。
在EUV面世、国内高端芯片面临无法生继续迭代和生产的关键时刻……
闪存芯片领先全球，是一个振奋人心、提振士气的消息。
曾熙问道：“其他技术大厂的研发进程是什么情况？”
高启明回答：“目前，基本停留在96层技术上，部分厂96层还未进入量产。”
“三星已经大规模量产第五代V-NANd存储芯片，堆叠层数96层。”
“美光最近遭受晋华、联电的反诉，后者认为美光的产品专利侵权。”
“据悉，当前的证据对镁光极为不利，镁光可能采取场外手段反制。”
“他们目前只能量产64层3dtLcNANd芯片，96层芯片还在研发，计划今年年底推出。”
“东芝存储已经改名铠侠，他们也已经成功研发96层3dNANdFLASh芯片，但是也没有量产。”
“其他，如SK海力士、英特尔等大厂，总体进度和三星一致，要实现128层芯片堆叠，还需要1-2年时间。”
“也就是说，从目前起，我们已经从追赶角色转变为引领角色。”
说到这里，高启明、杨永宁脸上神情非常振奋。
常乐也是喜上心头，溢于言表。
回顾长宁存储的成立和入局，不过才4年多时间。
当初成功研发32层技术时，与国际大厂的技术差距大概在5年时间左右。
然而。
在杨永宁、高启明的带领下，短短4年多时间，就攻克32层、64层，略过96层，突破至128层……
抹平了代差不说，还领先一个代次。
这其中，xtacking架构功不可没。
xtacking架构是全新自主架构，没有任何专利陷阱。
目前，长宁存储已经在xtacking架构上，积累了1000多项核心专利。
当然，刻蚀、沉积等国产替代设备也至关重要。
他对曾熙说：
“曾姐，公司安排一笔专项资金，对研发人员进行重奖。”
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